Im Gegensatz zu a-Si-Sensoren, die auf Glasplatten hergestellt werden, werden
Metall-Oxid-Halbleiter(CMOS)-Sensoren werden auf Silizium-Wafern entwickelt.
Die wesentlich höhere Ladungsbeweglichkeit von kristallinem Silizium (c-Si) im Vergleich zu a-Si führt zu Bildsensoren, die eine höhere Auslesegeschwindigkeit und ein deutlich geringeres elektronisches Rauschen aufweisen.
Höheres SN-Verhältnis
Höhere Auflösung
Schlanke, abgerundete Ecken und glatte Kanten
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