Produktionssystem PlasmaPro 100 ICPCVD

Dieses ICPCVD-Prozessmodul wurde entwickelt, um qualitativ hochwertige Schichten bei niedrigen Wachstumstemperaturen zu produzieren. Dies wird durch hochdichte Remote-Plasmen ermöglicht, die eine hervorragende Schichtqualität bei geringer Substratschädigung erzielen. Ausgezeichnete Gleichmäßigkeit, hoher Durchsatz und hochpräzise Prozesse Hochwertige Filme Elektrode mit breitem Temperaturbereich Kompatibel mit allen Wafergrößen bis zu 200 mm Schneller Wechsel zwischen Wafergrößen Niedrige Betriebskosten und einfache Wartungsfreundlichkeit Kompakte Grundfläche, flexibles Layout Widerstandsbeheizte Elektroden mit einer Kapazität von bis zu 400°C oder 1200°C In-situ-Kammerreinigung und Endpunktbestimmung Flexibles Dampfzufuhrmodul, das die Abscheidung von Schichten mit flüssigen Vorläufern ermöglicht, z. B. TiO2 mit TTIP, SiO2 mit TEOS Anwendungen Hervorragende Qualität von Schichten mit geringer Beschädigung bei niedrigen Temperaturen. Zu den typischen Materialien, die abgeschieden werden, gehören SiO2, Si3N4 und SiON, Si und SiC bei Substrattemperaturen von nur 5 ºC ICP-Quellengrößen von 65mm, 180mm, 300mm liefern Prozessgleichförmigkeit bis zu 200-mm-Wafern Elektroden für Temperaturbereiche von 5 ºC bis 400 ºC erhältlich Patentierte ICPCVD-Gasverteilungstechnologie In-situ-Kammerreinigung mit Endpointing Flexibles Dampfzufuhrmodul, das die Abscheidung von Schichten mit flüssigen Vorläufern ermöglicht, z. B. TiO2 mit TTIP, SiO2 mit TEOS Wandheizung reduziert die Ablagerung an den Kammerwänden Helium-Rückseitenkühlung mit mechanischer Klemmung gewährleistet gleichmäßige Wafertemperaturen und optimierte Schichteigenschaften Globale Kundenunterstützung Oxford Instruments ist bestrebt, einen umfassenden, flexiblen und zuverlässigen globalen Kundensupport zu bieten. Wir bieten einen ausgezeichneten Qualitätsservice während der gesamten Lebensdauer Ihres Systems.