Magnet-Produktionssystem PlasmaPro 100 Polaris

Das PlasmaPro 100 Polaris Einzelwafer-ICP-RIE-Ätzsystem bietet intelligente Lösungen, um die hervorragenden Ätzergebnisse zu erzielen, die Sie benötigen, um Ihren Wettbewerbsvorteil zu erhalten. Mit umfassender Erfahrung im Ätzen von Materialien wie GaN, SiC und Saphir ermöglichen unsere Technologien die Betriebskosten und den Ertrag, die zur Maximierung der Leistung Ihrer Geräte erforderlich sind. Hervorragende Ätzraten Niedrige Betriebskosten Speziell für raue Chemikalien entwickelt Ausgezeichnete Ätzgleichmäßigkeit Exklusive elektrostatische Klammertechnologie, die Saphir einklemmen kann, GaN auf Saphir und Silizium Pumpensystem mit hohem Leitwert Clusterfähig mit anderen PlasmaPro-Systemen Merkmale Das PlasmaPro 100 Polaris Einzelwafer-Ätzsystem bietet intelligente Lösungen, um die Ätzergebnisse zu erzielen, die Sie benötigen, um Ihren Wettbewerbsvorteil zu erhalten. Die PlasmaPro 100 Polaris wurde speziell für die rauen chemischen Bedingungen entwickelt, die für das Ätzen von Materialien wie GaN, Saphir und SiC erforderlich sind, und liefert schnelle und gleichmäßige Ätzraten auf Wafern mit einem Durchmesser von bis zu 200 mm. Aktiv gekühlte Elektrode - Hält die Probentemperatur während des Ätzprozesses aufrecht Leistungsstarke ICP-Quelle - Erzeugt Plasmen mit hoher Dichte Zuverlässige Hardware und einfache Wartbarkeit - Ausgezeichnete Betriebszeit Magnetischer Abstandshalter - Verbesserte Ionenkontrolle und Gleichmäßigkeit Exklusive elektrostatische Klammertechnologie - Geeignet für Saphir, GaN auf Saphir und Silizium Beheizte Kammerauskleidungen - Optimiert zur Verringerung der Ablagerung an den Kammerwänden Fortschrittliche Auto-Matching-Unit (AMU) - Ermöglicht schnelles, effizientes und genaues Matching und damit eine hervorragende Prozesswiederholbarkeit Anwendungen RF-Bauteil SiC-Via-Lochätzung Leistungshalbleiter-Bauteil SiC-Feature-Ätzen HBLED GaN-Ätzen RF-Bauteil GaN-Ätzen